能带序号小,能带宽度。能带序号大,能态密度。
能带序号小,能带宽度。能带序号大,能态密度。
晶体中能带的特点有？ A: 能带与能带之间存在禁带 B: 低能级形成的能带宽度一般小于高能级形成的能带宽度 C: 能带是准连续的 D: 能带是连续的
晶体中能带的特点有？ A: 能带与能带之间存在禁带 B: 低能级形成的能带宽度一般小于高能级形成的能带宽度 C: 能带是准连续的 D: 能带是连续的
能带宽度是指能带顶的能量与能带底的能量之差。
能带宽度是指能带顶的能量与能带底的能量之差。
一个晶格常数为a的二维正方晶格，（1）用紧束缚近似求S能带表示式，能带顶和能带底的位置以及能带宽度；（2）求能带底电子和能带顶空穴的有效质量；（3）写出s能带电子的速度表示式。
一个晶格常数为a的二维正方晶格，（1）用紧束缚近似求S能带表示式，能带顶和能带底的位置以及能带宽度；（2）求能带底电子和能带顶空穴的有效质量；（3）写出s能带电子的速度表示式。
形容词都不能带宾语,动词都能带宾语。
形容词都不能带宾语,动词都能带宾语。
pn结加反向电压时,能带如何变化?(<br/>) A: n区能带相对于p区整体向上移; B: n区能带相对于p区能带整体向下移; C: 空间电荷区能带弯曲加强; D: 空间电荷区能带弯曲减弱;
pn结加反向电压时,能带如何变化?(<br/>) A: n区能带相对于p区整体向上移; B: n区能带相对于p区能带整体向下移; C: 空间电荷区能带弯曲加强; D: 空间电荷区能带弯曲减弱;
能带越低越窄，能带越高越宽。
能带越低越窄，能带越高越宽。
半导体载流子有效质量大小跟能带的关系是(<br/>) A: 能带底或能带顶附近E-k抛物线变化越陡有效质量值越大 B: 能带底或能带顶附近E-k抛物线变化越陡有效质量值越小 C: 能带底或能带顶附近能带简并度越高有效质量越小 D: 没有明确的关系
半导体载流子有效质量大小跟能带的关系是(<br/>) A: 能带底或能带顶附近E-k抛物线变化越陡有效质量值越大 B: 能带底或能带顶附近E-k抛物线变化越陡有效质量值越小 C: 能带底或能带顶附近能带简并度越高有效质量越小 D: 没有明确的关系
紧束缚近似适用于解释哪些晶体的哪些能带?(<br/>) A: 金属晶体的价电子能带; B: 金属晶体的内层电子能带; C: 离子晶体和共价晶体的所有能带; D: 分子晶体的所有能带;
紧束缚近似适用于解释哪些晶体的哪些能带?(<br/>) A: 金属晶体的价电子能带; B: 金属晶体的内层电子能带; C: 离子晶体和共价晶体的所有能带; D: 分子晶体的所有能带;
电子占据了一个能带中所有的状态,该能带称为______ ;没有任何电子占据的能带称为______ 。
电子占据了一个能带中所有的状态,该能带称为______ ;没有任何电子占据的能带称为______ 。