离子注入横向效应
举一反三
- 离子束加工技术利用注入效应加工的是( )。 A: 离子刻蚀 B: 溅射镀膜 C: 离子镀 D: 离子注入
- 离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（） A: 离子注入 B: 热扩散
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度
- 离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为 A: 投影射程 B: 离子射程 C: 横向射程 D: 标准偏差