以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。
A: 注入均匀性
B: 离子注入剂量
C: 离子射程
D: 束流密度
A: 注入均匀性
B: 离子注入剂量
C: 离子射程
D: 束流密度
A,B,C,D
举一反三
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 离子注入的过程中,在同样的硅片面积下,注入的束流大小与注入时间直接决定剂量的大小,束流越大、注入时间越长,达到的剂量越大。( )
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
内容
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能够挑选出唯一需要注入的离子,属于离子注入系统中的: A: 离子源 B: 吸极 C: 磁分析器 D: 中性束流陷阱
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离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。
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对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。 A: 入射离子的能量 B: 入射离子的质量 C: 入射离子的原子序数 D: 靶原子的质量、原子序数、原子密度 E: 注入离子的总剂量
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186.离子注入的过程中，在同样的硅片面积下，注入的束流大小与注入时间直接决定剂量的大[br][/br]小，束流越大、注入时间越长，达到的剂量越大。
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离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘所决定的。( )