反应离子刻蚀的过程简单来说是（）。
A: 电离→解吸、排放→轰击→扩散、反应
B: 轰击→电离→扩散、反应→解吸、排放
C: 电离→扩散、反应→轰击→解吸、排放
D: 电离→轰击→扩散、反应→解吸、排放
A: 电离→解吸、排放→轰击→扩散、反应
B: 轰击→电离→扩散、反应→解吸、排放
C: 电离→扩散、反应→轰击→解吸、排放
D: 电离→轰击→扩散、反应→解吸、排放
举一反三
- 浸出过程各步骤的顺序为（）。 A: 外扩散 - 化学反应 - 解吸 - 反扩散 B: 外扩散 - 反扩散 - 化学反应 - 解吸 C: 反扩散 - 化学反应 - 解吸 - 外扩散 D: 外扩散 - 化学反应 - 反扩散 - 解吸
- 要想获得较多的碎片离子，应采用 （ ） A: 电子轰击电离源 B: 化学电离源 C: 快原子轰击电离源 D: 电喷雾离子源
- 在工作过程中需要引进一种反应气体获得准分子离子的离子源是（ ）。 ? 场电离源| 高频火花源;;; |化学电离源|电子轰击源
- A1型题 下列浸出过程正确的是（） A: 浸润、渗透、解吸、溶解、扩散 B: 吸附、渗透、溶胀、溶解、扩散 C: 浸润、渗透、溶胀、解吸、扩散 D: 渗透、溶胀、溶解、解吸、扩散 E: 吸附、渗透、解吸、溶解、扩散
- 【单选题】下述电离源中分子离子峰最弱的是 A. 电子轰击源 B. 化学电离源 C. 场电离源 D. 电子轰击源或场电离源