离子注入法要比扩散掺杂法速度快，但会带来晶格损伤，消除晶格损伤的常见方法是
退火
举一反三
- 离子注入的晶格损伤
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- ⑫ 关于离子注入法和热扩散发法掺杂说法错误的是： A: 、导电型杂质掺杂用离子注入法，而热扩散法没有这样要求 B: 、离子注入法会造成晶体物理损伤，热扩散法不会 C: 、离子注入法主要控制电压高低和硅片的移动，热扩散法主要控制扩散的时间和杂质气体的压力 D: 、热扩散法要比离子注入法掺杂控制得更精确
- 因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为 。 A: 晶格损伤 B: 晶格缺陷 C: 晶胞损伤 D: 晶胞缺陷
- 离子注入后，晶格结构会产生损伤，因此需要进行__________工艺。
内容
- 0
离子注入损伤包括因联级碰撞而出现的简单晶格损伤和的形成
- 1
离子注入之后为修复晶格损伤和激活杂质,必须进行退火
- 2
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
- 3
中国大学MOOC: 当高能离子进入到硅片后，由于碰撞作用，使晶格原子离开原来的位置，出现晶格损伤。
- 4
当高能离子进入到硅片后，由于碰撞作用，使晶格原子离开原来的位置，出现晶格损伤。 A: 正确 B: 错误