⑫ 关于离子注入法和热扩散发法掺杂说法错误的是：
A: 、导电型杂质掺杂用离子注入法，而热扩散法没有这样要求
B: 、离子注入法会造成晶体物理损伤，热扩散法不会
C: 、离子注入法主要控制电压高低和硅片的移动，热扩散法主要控制扩散的时间和杂质气体的压力
D: 、热扩散法要比离子注入法掺杂控制得更精确
A: 、导电型杂质掺杂用离子注入法，而热扩散法没有这样要求
B: 、离子注入法会造成晶体物理损伤，热扩散法不会
C: 、离子注入法主要控制电压高低和硅片的移动，热扩散法主要控制扩散的时间和杂质气体的压力
D: 、热扩散法要比离子注入法掺杂控制得更精确
