()的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。
A: 干法刻蚀
B: 湿法刻蚀
C: 化学刻蚀
D: 物理刻蚀
A: 干法刻蚀
B: 湿法刻蚀
C: 化学刻蚀
D: 物理刻蚀
A
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举一反三
- 中国大学MOOC: ()的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀
- 两种刻蚀方法中,属于各向同性刻蚀的是: A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 离子刻蚀 D: 溅射刻蚀
- 三种干法刻蚀方法中,选择性最好的是 。 A: 等离子刻蚀 B: 溅射刻蚀 C: 反应离子刻蚀 D: 湿法刻蚀
- 中国大学MOOC: 刻蚀的方法有两类:湿法刻蚀和干法刻蚀,其中,()是利用液体化学试剂以化学形式除去硅片表面材料。而()是利用等离子体辅助来进行刻蚀的技术,刻蚀反应中不涉及液体。
内容
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在刻蚀工艺中,具有最高选择性的刻蚀工艺是 A: 等离子体刻蚀 B: 干法刻蚀 C: 湿法刻蚀 D: 物理刻蚀
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刻蚀根据是否采用化学溶液分为 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 溅射刻蚀
- 2
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为()。 A: 湿法刻蚀 B: 干法刻蚀、 C: 混合刻蚀
- 3
刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料,在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中,( )因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 激光刻蚀
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微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种( )。 A: 离子束刻蚀、激光刻蚀 B: 干法刻蚀、湿法刻蚀 C: 溅射加工、直写加工 D: 激光刻蚀、电子束刻蚀