化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高，抛光速率会减小，但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
- 化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高，抛光速率会减小，但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。 A: 正确 B: 错误
- 抛光区域温度的温度选择要合适，温度过高会引起抛光液的挥发及快速的化学反应，使表面腐蚀严重，抛光不均匀。温度过低，则会使反应速率降低、机械损伤严重。 A: 正确 B: 错误
- 抛光区域温度的温度选择要合适，温度过高会引起抛光液的挥发及快速的化学反应，使表面腐蚀严重，抛光不均匀。温度过低，则会使反应速率降低、机械损伤严重。
- CMP工艺中抛光压力越大，抛光速率越快，抛光效果就越好。 A: 正确 B: 错误
- 影响 CMP质量的因素有()。 A: 抛光压力 B: 抛光液pH值 C: 转速 D: 抛光区域温度值
内容
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化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。 A: 抛光机 B: 抛光液 C: 抛光垫 D: 后清洗设备
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化学机械抛光设备中的抛光垫越粗糙，抛光速率越高，抛光图形的选择性越高，平坦化抛光的效果也越好，但过于粗糙，易产生划痕。 A: 正确 B: 错误
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CMP工艺中抛光压力越大，抛光速率越快，抛光效果就越好。
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CMP抛光质量的影响因素有（）。 A: 抛光压力 B: 相对速度 C: 抛光区域温度 D: 抛光液粘度、PH值 E: 磨粒尺寸、浓度及硬度
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以下哪些是影响CMP质量的主要因素 A: 抛光液的粘度、PH值 B: 抛光区域的温度 C: 抛光的压力 D: 抛光垫的表面粗糙度