化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高，抛光速率会减小，但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高，抛光速率会减小，但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。 A: 正确 B: 错误
- 抛光区域温度的温度选择要合适，温度过高会引起抛光液的挥发及快速的化学反应，使表面腐蚀严重，抛光不均匀。温度过低，则会使反应速率降低、机械损伤严重。 A: 正确 B: 错误
- 抛光区域温度的温度选择要合适，温度过高会引起抛光液的挥发及快速的化学反应，使表面腐蚀严重，抛光不均匀。温度过低，则会使反应速率降低、机械损伤严重。
- CMP工艺中抛光压力越大，抛光速率越快，抛光效果就越好。 A: 正确 B: 错误
- 影响 CMP质量的因素有()。 A: 抛光压力 B: 抛光液pH值 C: 转速 D: 抛光区域温度值