化学机械抛光中, 抛光液的作用是()。
A: 与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化
B: 向抛光垫施加压力
C: 将反应生成物从硅片表面却除
D: 清洗硅片
A: 与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化
B: 向抛光垫施加压力
C: 将反应生成物从硅片表面却除
D: 清洗硅片
举一反三
- 化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。 A: 抛光机 B: 抛光液 C: 抛光垫 D: 后清洗设备
- 不同材料的抛光应选择不同的酸碱性溶液，酸性抛光液常用于抛光（），它具有可溶性好、酸性范围内氧化剂较多、抛光效率高等优点。 A: 金属 B: 非金属 C: 硅片 D: 多晶硅
- 以下哪些是影响CMP质量的主要因素 A: 抛光液的粘度、PH值 B: 抛光区域的温度 C: 抛光的压力 D: 抛光垫的表面粗糙度
- 化学机械抛光的平整度是指CMP抛光去除台阶的高度与抛光之前台阶的高度之比，它描述了硅片表面的起伏变化情况。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 化学机械抛光的平整度是指CMP抛光去除台阶的高度与抛光之前台阶的高度之比，它描述了硅片表面的起伏变化情况。