CMP技术的关键要素包括:
A: 抛光头(磨头)
B: 抛光液
C: 抛光垫
D: 清洗设备
A: 抛光头(磨头)
B: 抛光液
C: 抛光垫
D: 清洗设备
A,B,C
举一反三
内容
- 0
CMP工艺的三大关键因素是()。 A: 抛光机 B: 抛光液 C: 抛光盘 D: 抛光垫
- 1
影响CMP质量的因素包括: A: 抛光压力 B: 转速 C: 抛光区域温度 D: 抛光液的粘度、PH值、流速和磨粒的尺寸、浓度、硬度等
- 2
影响 CMP质量的因素有()。 A: 抛光压力 B: 抛光液pH值 C: 转速 D: 抛光区域温度值
- 3
光整加工包括（）。 A: 精加工、珩磨、研磨、抛光 B: 超精加工、珩磨、研磨、抛光 C: 超精加工、珩磨、精镗、抛光 D: 超精加工、精磨、研磨、抛光
- 4
【单选题】普通漆面进行抛光时可选择()。 A. 羊毛抛光垫 B. 人造纤维抛光垫 C. 海绵抛光垫