CMP的设备构成包括（ ）。
A: 抛光垫
B: 夹持设备
C: 台板
D: 抛光液
A: 抛光垫
B: 夹持设备
C: 台板
D: 抛光液
A,B,D
举一反三
内容
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影响 CMP质量的因素有()。 A: 抛光压力 B: 抛光液pH值 C: 转速 D: 抛光区域温度值
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CMP抛光质量的影响因素有（）。 A: 抛光压力 B: 相对速度 C: 抛光区域温度 D: 抛光液粘度、PH值 E: 磨粒尺寸、浓度及硬度
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以下哪些是影响CMP质量的主要因素 A: 抛光压力 B: 抛光液黏度 C: 抛光液PH值 D: 抛光液魔力尺寸、浓度及硬度
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化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高，抛光速率会减小，但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。
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CMP技术所采用的设备有抛光机、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等，其中（）是最重要的设备。 A: 后CMP清洗设备 B: 抛光机 C: 抛光终点检测及工艺控制设备 D: 废物处理和检测设备