离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
- 以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。 A: 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。 B: 横向扩散现象很小 C: 很好的杂质均匀性 D: 注入杂质的纯度高，属于低温工艺
- 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。 A: 正确 B: 错误
- 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应