CMP后需要进行去离子水清洗,去除抛光带来的化学污染物。
举一反三
- 化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。 A: 抛光机 B: 抛光液 C: 抛光垫 D: 后清洗设备
- 将去离子水用全玻璃蒸馏器制备（） A: 蒸馏水 B: 重蒸馏水 C: 去离子水 D: 蒸馏去离子水 E: 去离子蒸馏水
- CMP技术所采用的设备有抛光机、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等，其中（）是最重要的设备。 A: 后CMP清洗设备 B: 抛光机 C: 抛光终点检测及工艺控制设备 D: 废物处理和检测设备
- 抛光技术常用的的设备包括: A: 抛光机 B: CMP后清洗设备 C: 抛光终点检测设备 D: 工艺控制、废物处理设备等
- 采用化学清洗液和沾污的杂质之间发生物理或化学作用来去除污染物的清洗方法为干法清洗。