用紧束缚方法处理体心立方晶体求出求出带顶和带底电子的有效质量.[br][/br]
举一反三
- 用紧束缚方法处理体心立方晶体求出画出第一布里渊区[tex=2.071x1.357]XizNhfMstCoWgAuRAFhbJw==[/tex]方向的能带曲线;[br][/br]
- 对简立方结构晶体,其晶格常数为[tex=0.786x1.286]rdFqZXddf1rxNtaNf55akw==[/tex][br][/br]用紧束缚方法求出对应非简并[tex=0.5x0.786]ICKY+F5VdoSQrRn/wUUOyw==[/tex]态电子的能带;[br][/br]
- 哪些因素可以显著影响半导体导带电子浓度?(<br/>) A: 温度; B: 导带底电子状态密度有效质量; C: 费米能级位置; D: 导带底电子电导有效质量;
- 温度对半导体的哪些参量有影响?(<br/>) A: 电子和空穴的有效质量; B: 导带和价带状态密度; C: 导带底和价带顶有效状态密度; D: 费米能级位置;
- 导带顶的电子有效质量为负值。