硅片的表面腐蚀通常使用 、 两种。
酸性腐蚀；碱性腐蚀
举一反三
内容
- 0
硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀？
- 1
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
- 2
简述硅片表面污染的来源。
- 3
CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
- 4
为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是 A: 倒角 B: 磨片 C: 化学腐蚀 D: CMP