扩散后硅片刻蚀后方块电阻会上升。
举一反三
- 硅片扩散后测量方块电阻时，应取（）片 A: 5 B: 8 C: 10 D: 14
- 刻蚀异常的硅片，处理方法是（ ） A: 重新刻蚀 B: 返回扩散 C: 返回制绒 D: 报废
- 表征一个硅片的扩散效果，主要通过（）。两者的综合表现就决定了扩散方块电阻。 A: 电压 B: 结深 C: 表面掺杂浓度 D: 电流
- 下面关于扩散层的方块电阻的描述不正确的是（）。 A: 方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越小 B: 可以通过测方块电阻来检测扩散进去的单位面积的杂质量 C: 方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越大 D: 方块电阻的测量可以采用C-V法测量
- 扩散浓度小，方块电阻大