硅片扩散后测量方块电阻时，应取（）片
A: 5
B: 8
C: 10
D: 14
A: 5
B: 8
C: 10
D: 14
举一反三
- 扩散后硅片刻蚀后方块电阻会上升。
- 关于扩散方块电阻不均匀，以下说法正确的是（） A: 方块电阻片间不均匀，是由于温度调控差异所致 B: 方块电阻片间不均匀，是由于大N流量不稳定导致 C: 方块电阻过高，是由于扩散时间过长导致 D: 方块电阻片内不均匀，是由于通源不足导致
- 下面关于扩散层的方块电阻的描述不正确的是（）。 A: 方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越小 B: 可以通过测方块电阻来检测扩散进去的单位面积的杂质量 C: 方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越大 D: 方块电阻的测量可以采用C-V法测量
- 表征一个硅片的扩散效果，主要通过（）。两者的综合表现就决定了扩散方块电阻。 A: 电压 B: 结深 C: 表面掺杂浓度 D: 电流
- 如下代码的运行结果为：（）。 A: [ 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14][ 5 1 7 8 9 10 11 12 13 14][ 5 1 2 8 9 10 11 12 13 14] B: [ 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14][ 5 1 2 8 9 10 11 12 13 14][ 5 1 2 8 9 10 11 12 13 14] C: [ 5 1 7 8 9 10 11 12 13 14][ 5 1 7 8 9 10 11 12 13 14][ 5 1 2 8 9 10 11 12 13 14] D: [ 5 1 2 8 9 10 11 12 13 14][ 5 1 2 8 9 10 11 12 13 14][ 5 1 2 8 9 10 11 12 13 14]