直拉法制备的单晶直径比较大，杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
内容
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下列不属于单晶半导体常用制备技术的是___ A: 布里奇曼法 B: 直拉生长法 C: 热交换法 D: 区熔生长法
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目前制备硅单晶的方法有: A: 直拉法 B: 液体掩盖直拉法 C: 悬浮区熔法 D: 精馏法
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直径大于8英寸的单晶硅锭可以用( )方法制备出来。 A: FZ法 B: CZ法 C: 直拉法 D: 悬浮区熔法
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制备单晶硅的方法有 A: 直拉法（CZ） B: 悬浮区熔法（FZ） C: 蒸发 D: 溅射
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直拉法制备单晶时，单晶炉中的电气控制系统主要控制的工艺参数有 。 A: 温度 B: 气压 C: 提拉速度 D: 转速