根据晶片掺杂的要求利用离子注入法退火推进等最终形成半导体硅晶圆片的纵向杂质分布符合( )
A: 指数/负指数分布
B: 高斯分布
C: 余误差分布
D: 均匀分布
A: 指数/负指数分布
B: 高斯分布
C: 余误差分布
D: 均匀分布
举一反三
- 平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（ ）。 A: 均匀分布 B: 线性分布 C: 高斯分布 D: 余误差分布
- 平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（ ）。 A: 均匀分布 B: 线性分布 C: 高斯分布 D: 余误差分布
- 离子注入后，杂质的浓度分布基本符合 A: 余误差函数 B: 高斯函数 C: 线性函数 D: 抛物线性函数
- 窄带高斯噪声包络服从（）。 A: 高斯分布 B: 瑞利分布 C: 均匀分布 D: 莱斯分布
- 离子注入的杂质分布函数是: A: 线性函数 B: 抛物线函数 C: 余误差函数 D: 高斯函数