平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（ ）。
A: 均匀分布
B: 线性分布
C: 高斯分布
D: 余误差分布
A: 均匀分布
B: 线性分布
C: 高斯分布
D: 余误差分布
举一反三
- 平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（ ）。 A: 均匀分布 B: 线性分布 C: 高斯分布 D: 余误差分布
- 中国大学MOOC: 平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（ ）。
- 根据晶片掺杂的要求利用离子注入法退火推进等最终形成半导体硅晶圆片的纵向杂质分布符合( ) A: 指数/负指数分布 B: 高斯分布 C: 余误差分布 D: 均匀分布
- 均匀基区晶体管的基区存在复合，基区内少子的分布可近似为线性分布，主要原因是（ ）。 A: 基区宽度远小于基区中少子的扩散长度 B: 基区的杂质是均匀分布的 C: 发射结和集电结是突变结 D: 发射区和集电区的杂质是均匀分布的
- 一个均值为零的窄带平稳高斯过程，其包络和相位的一维分布分别是（ ） A: 广义瑞利分布 均匀分布 B: 瑞利分布 均匀分布 C: 瑞利分布 高斯分布 D: 均匀分布 瑞利分布