PVD与CVD比较，下列那种说法正确：
A: PVD薄膜的保形性更好；
B: PVD薄膜与衬底的粘附性较差；
C: CVD工艺温度更低；
D: CVD普适性更好。
A: PVD薄膜的保形性更好；
B: PVD薄膜与衬底的粘附性较差；
C: CVD工艺温度更低；
D: CVD普适性更好。
举一反三
- 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是： 。 A: 热氧化 B: CVD C: PVD D: 热扩散
- 以下关于CVD说法错误的是 A: 、CVD过程需要能量，根据能量的来源可将CVD分成热CVD，光CVD等 B: 、CVD不易实现高精度的膜层 C: 、CVD生产快，批量大，所以大多数制膜采用CVD D: 、PVD属于CVD的一种
- 可以用于图像感应的元件是_ __。 A: PVD B: MEMS C: CVD D: CMOS
- 化学气相沉积英文缩写是（）。 A: CVD B: PVD C: PCVD D: CNC
- 物理气相沉积英文缩写是（）。 A: CVD B: PVD C: PCVD D: CNC