下面哪些说法是正确的（） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
A: ⑴⑵
B: ⑵⑷
C: ⑴⑵⑷
D: ⑴⑵⑶⑷
A: ⑴⑵
B: ⑵⑷
C: ⑴⑵⑷
D: ⑴⑵⑶⑷
举一反三
- 中国大学MOOC: 下面哪些说法是正确的（） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
- 硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。
- 砂岩的主要成分为（ ），粘土含量小于（ ）. A: CaCO3，25% B: SiO2和Al2O3，15% C: SiO2，25% D: SiO2,30%
- 硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→SiO（气）→Si逐级进行的。（ ）
- 热氧化方法和淀积方法的区别是 A: 热氧化方法硅衬底参与反应。 B: 淀积方法硅衬底参与反应。 C: 热氧化方法硅衬底不参与反应。 D: 淀积方法硅衬底不参与反应。