热氧化方法和淀积方法的区别是
A: 热氧化方法硅衬底参与反应。
B: 淀积方法硅衬底参与反应。
C: 热氧化方法硅衬底不参与反应。
D: 淀积方法硅衬底不参与反应。
A: 热氧化方法硅衬底参与反应。
B: 淀积方法硅衬底参与反应。
C: 热氧化方法硅衬底不参与反应。
D: 淀积方法硅衬底不参与反应。
举一反三
- 硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。
- 下面哪些说法是正确的（） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低 A: ⑴⑵ B: ⑵⑷ C: ⑴⑵⑷ D: ⑴⑵⑶⑷
- 热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅 发生的硅的氧化反应。
- 中国大学MOOC: 下面哪些说法是正确的（） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
- 中国大学MOOC: 热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅 发生的硅的氧化反应。