对于CMOS结构的NAND2器件，下列说法哪些是正确的A 该器件有2个输入端B 该器件使用6个MOS器件C 该器件使用2个PMOSD 该器件中NMOS器件为串联E 该器件中含有反相器F 当该器件输入都为高电平时，输出为低电平
A: 正确
B: 错误
C: 正确
D: 错误
E: 正确
F: 错误
A: 正确
B: 错误
C: 正确
D: 错误
E: 正确
F: 错误
举一反三
- 对于CMOS结构的NAND2器件，下列说法哪些是正确的 A: 该器件有2个输入端 B: 该器件使用6个MOS器件 C: 该器件使用2个PMOS D: 该器件中NMOS器件为串联
- 2输入CMOS器件中，输入控制的两个PMOS器件和两个NMOS器件可以随意串联或并联 A: 正确 B: 错误
- 2输入CMOS器件中，输入控制的两个PMOS器件和两个NMOS器件可以随意串联或并联
- 5.当数字器件A驱动数字器件B时，不需要考虑哪个因素（ ） A: A.器件A输出电平标准 B: B.器件B输出电平标准 C: C.器件A输入/输出电流 D: D.器件B输入电平标砖
- 对于p型衬底的MOSFET，负阈值电压表明该器件为耗尽型器件。 A: 正确 B: 错误