关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 对于p型衬底的MOSFET，负阈值电压表明该器件为耗尽型器件。 A: 正确 B: 错误 对于p型衬底的MOSFET，负阈值电压表明该器件为耗尽型器件。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。 A: 正确 B: 错误 GTR和MOSFET都是电压驱动型器件。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。 对于p型衬底MOSFET的理想C-V特性而言，当C取值最小时，栅压为负。 A: 正确 B: 错误 当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（ ）。
