下面有关晶体能带理论应用说法正确的是( )。
A: 满带可以导电。
B: 金属的导电性主要源于导带导电。
C: 半导体的价带不是满带。
D: 绝缘体的非导电性与禁带无关。
A: 满带可以导电。
B: 金属的导电性主要源于导带导电。
C: 半导体的价带不是满带。
D: 绝缘体的非导电性与禁带无关。
B
举一反三
- 半导体和绝缘体的根本区别在哪里？ A: 绝缘体不导电半导体可导电 B: 0K时价带全满，导带全空。禁带宽度不同，绝缘体远大于半导体。 C: 室温下，半导体导电，绝缘体不导电。 D: 0K时价带全满，导带全空。
- 既然满带中电子不导电，不满带中电子导电，那么绝缘体的能带不是满带就是（） A: 满带 B: 空带 C: 不满带 D: 禁带
- 以能带理论观点分析绝缘体、半导体和导体导电性的差异产生的物理本质为（） A: 满带电子不导电； B: 能态密度有高低 C: 未满带电子导电 D: 能带宽度有差异
- 以下可以导电的能带状态包括： A: 满带 B: 禁带 C: 近满带 D: 空带
- 半导体和绝缘体的能带结构相似，只是半导体的禁带宽度较小，在外界光、热等作用下，满带中的电子可以跃过禁带到空带中，从而出现了满带中的电子空穴导电和空带中自有电子导电。 A: 正确 B: 错误
内容
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下列关于晶体导电能力说法错误的是： A: 若电子刚好填满能量最低的一系列能带，而能量再高的各能带都是没有电子填充的空带，则该晶体能导电 B: 导体的电子除填满能量最低的一系列能带外，在满带和空带间还有部分填充的导带 C: 绝缘体的禁带宽度一般都较宽 D: 半导体能带中只有满带和空带
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半导体和绝缘体的能带结构相似，只是半导体的禁带宽度较小，在外界光、热等作用下，满带中的电子可以跃过禁带到空带中，从而出现了满带中的电子空穴导电和空带中自有电子导电。
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下列关于晶体导电能力说法正确的包括： A: 若电子刚好填满能量最低的一系列能带，而能量再高的各能带都是没有电子填充的空带，则该晶体不能导电 B: 导体的电子除填满能量最低的一系列能带外，在满带和空带间还有部分填充的导带 C: 绝缘体的禁带宽度一般都较宽 D: 半导体能带中只有满带和空带
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满带电子不导电，不满的能带中的电子才可以导电。
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半导体禁带宽度比绝缘体的禁带宽度要窄，所以半导体价带的电子容易通过本征激发跃迁到导带而参与导电。