四探针测试仪要求，测硅片四角时，探针距硅片边缘（）。
A: 10mm
B: 6mm
C: 5mm
D: 7mm
A: 10mm
B: 6mm
C: 5mm
D: 7mm
A
举一反三
- 四探针测试仪顺序测量硅片的方块电阻，测试顺序为（）。 A: 先测中心，再测四角 B: 先测边角 C: 先测中心先测边角在测中心
- 供试品干燥时,应平铺在扁形称量瓶中,厚度不可超过()为疏松物质,厚度不可超过() A: 4 mm,8 mm B: 5mm,10 mm C: 5 mm,8 mm D: 4mm,10mm E: 8 mm,10 mm
- 以下关于铝塑板规格的描述正确的是（ ） A: 厚度为3mm、4mm、5mm和6mm或10mm ，常见规格为1220 mm×2440 mm B: 厚度为3mm、4mm、5mm和6mm或10mm ，常见规格为1200 mm×2400 mm C: 厚度为3mm、4mm、5mm和6mm或8mm ，常见规格为1200 mm×2400 mm D: 厚度为3mm、4mm、5mm和6mm或8mm ，常见规格为1220 mm×2440 mm
- 板的截面尺寸允许偏差为（）。 A: +10，-7（mm） B: +8，-5（mm） C: +10，-5（mm） D: +7，-5（mm）
- 半导体硅单晶锭加工制备成晶片，根据晶片质量管理的要求需要利用四探针测试装置对( )进行检测。 A: 硅片厚度 B: 硅片平整度 C: 硅片薄层电阻 D: 硅片杂质浓度
内容
- 0
息止（牙合）间隙一般为 A: 0～1 mm B: 5～7 mm C: 2～4 mm D: 8～10 mm E: 7～8 mm
- 1
WJ-8型扣件钢轨左右调整量为mm（） A: ±5mm B: ±6mm C: ±7mm D: ±8mm
- 2
标注尺寸时所应用的起止符号应绘制（）mm。 A: 3mm B: 5mm C: 7mm D: 10mm
- 3
水中悬浮物质粒径大小一般为（） A: A10<sup>-4</sup>mm以上 B: B10<sup>-4</sup>--10<sup>-5</sup>mm C: C10<sup>-5</sup>--10<sup>-6</sup>mm D: D10<sup>-6</sup>--10<sup>-7</sup>mm
- 4
在二层蒸发计算中，设某时段内流域蒸发能力为10mm，时段初上土层的张力水蓄量与容量分别为：5 mm和10mm；下土层的张力水蓄量与容量分别为：10 mm和20 mm，则上、下土层分别蒸发了： 。 A: 5 mm和5 mm B: 5 mm和2.5 mm C: 5 mm和3.5 mm D: 10mm和0mm