设隧道长度 [tex=5.0x1.0]Ieoz+jW8yRVmQ1Emeph2kq8U5Tazmc+GWXwSHQENNZkIHDDxDyxwD5xYPS8Y24BZ[/tex] ， 求锗在室温下电子的隧穿几率。
举一反三
- 设隧道长度 [tex=5.0x1.0]Ieoz+jW8yRVmQ1Emeph2kq8U5Tazmc+GWXwSHQENNZkIHDDxDyxwD5xYPS8Y24BZ[/tex] ， 求硅在室温下电子的隧穿几率。
- 设随机变量X~U(-3,1)，Y=1-2X，则下列正确的是 A: Y~U(-7,1) B: P(Y<5)=1/4 C: P(|X|=1)=1/2 D: P(|Y|<2)=3/8
- 设X ~ N ( 3 , 2 )，Y ~ U ( 2 , 8 )，且X与Y相互独立，则D(2X – Y) =（ ）． A: 1 B: 5 C: 7 D: 11
- intx=5,y=8,z=7;表达式z=!(x>y)||(x=1,y=3)计算后的结果 A: x=1,y=3,z=1 B: x=1,y=3,z=0 C: x=5,y=8,z=0 D: x=5,y=8,z=1
- x=5,y=8执行语句z=x%y后,z是() A: 0 B: 5 C: 8 D: 1