关于共振隧穿器件下列那种说法正确：
A: 器件是基于量子隧穿效应工作
B: 器件速度较低
C: 器件为量子点结构
D: 器件功耗较高
E: 器件通常是采用MBE的超晶格结构
F: 器件无负阻特性
A: 器件是基于量子隧穿效应工作
B: 器件速度较低
C: 器件为量子点结构
D: 器件功耗较高
E: 器件通常是采用MBE的超晶格结构
F: 器件无负阻特性
举一反三
- 关于共振隧穿器件下列那种说法准确： A: 是基于量子隧穿效应工作的高速器件 B: 器件为量子点结构 C: 器件功耗较高 D: 常采用BME制备的超晶格结构
- 中国大学MOOC: 关于共振隧穿器件下列那种说法正确：
- 中国大学MOOC: 关于共振隧穿器件下列那种说法准确：
- 对于CMOS结构的NAND2器件，下列说法哪些是正确的A 该器件有2个输入端B 该器件使用6个MOS器件C 该器件使用2个PMOSD 该器件中NMOS器件为串联E 该器件中含有反相器F 当该器件输入都为高电平时，输出为低电平 A: 正确 B: 错误 C: 正确 D: 错误 E: 正确 F: 错误
- 对于CMOS结构的NAND2器件，下列说法哪些是正确的 A: 该器件有2个输入端 B: 该器件使用6个MOS器件 C: 该器件使用2个PMOS D: 该器件中NMOS器件为串联