关于CVD涂层，（）描述是不正确的。
A: CVD表示化学气相沉积
B: CVD是在400~600℃的较低温度下形成
C: CVD涂层具有高耐磨性
D: CVD对硬质合金有极强的粘附性
A: CVD表示化学气相沉积
B: CVD是在400~600℃的较低温度下形成
C: CVD涂层具有高耐磨性
D: CVD对硬质合金有极强的粘附性
B
举一反三
- 关于CVD涂层，（）描述是不正确的。 A: CVD表示化学气相沉积 B: CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的 C: CVD涂层具有高耐磨性 D: CVD对高速钢有极强的粘附性
- 关于 CVD 涂层，( )描述是不正确的。 A: CV B: 表示化学气相沉积 C: CV D: 是在 E: CV F: 涂层具有高耐磨性 G: CV H: 对高速钢有极强的粘附性
- 关于CVD涂层，（）描述是不正确的。
- CVD根据激活方式不同分为： A: 热激活CVD B: 等离子增强的反应沉积CVD C: 激光增强的反应沉积CVD D: 微波电子共振等子离CVD
- PVD与CVD比较，下列那种说法正确： A: PVD薄膜的保形性更好； B: PVD薄膜与衬底的粘附性较差； C: CVD工艺温度更低； D: CVD普适性更好。
内容
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以下关于CVD说法错误的是 A: 、CVD过程需要能量，根据能量的来源可将CVD分成热CVD，光CVD等 B: 、CVD不易实现高精度的膜层 C: 、CVD生产快，批量大，所以大多数制膜采用CVD D: 、PVD属于CVD的一种
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④ 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度 A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、减压CVD
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化学气相沉积英文缩写是（）。 A: CVD B: PVD C: PCVD D: CNC
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① （多选）利用CVD的方法制造多晶Si膜，常压CVD需要900℃，采用低压CVD可以 A: 、加快沉积速度 B: 、少量降低温度 C: 、提高膜的均匀性 D: 、提高膜的稳定性
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CVD合成方法又称为“化学气相沉淀法”