较之于硅材料制作的电力电子器件，采用SiC等宽禁带半导体材料制作的电力电子器件具有明显的优势，以下描述哪一项是错误的？
A: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力
B: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力
C: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度
D: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本
A: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力
B: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力
C: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度
D: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本
