与传统电力电子器件相比，宽禁带半导体器件有很 出色的性能，主要表现在开关速度、通流能力、耐压特性及温度特性等方面有更 大的提升空间。下列属于宽禁带材料功率半导体器件的有（）。
A: 二氧化硅
B: 碳化硅
C: 氮化硅
D: 晶体硅
A: 二氧化硅
B: 碳化硅
C: 氮化硅
D: 晶体硅
举一反三
- 较之于硅材料制作的电力电子器件，采用SiC等宽禁带半导体材料制作的电力电子器件具有明显的优势，以下描述哪一项是错误的？ A: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力 B: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力 C: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度 D: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本
- 有关新型半导体器件，表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
- 有关新型半导体器件，下面表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
- 宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料，典型的是( )等材料。 A: 碳化硅（SiC） B: 氮化镓（GaN） C: 金刚石 D: 硅
- 新型的电力半导体器件包括 A: GaN氮化镓器件 B: SiC碳化硅器件 C: Si硅器件 D: Diamond金刚石器件