层错宽度计算公式为d=（Gb1b2）／（2πγ）。某fcc晶体中，点阵常数为a=0.354nm，刃位错b=a［-110］／2 在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错 a［-211］/6 和 a［-12-1］/6，若金属的层错能为0.02[img=42x27]17de9246b7d46b5.png[/img],剪切模量为7×1010Pa。则层错宽度为（ ）。
A: 11.6nm
B: 5.8nm
C: 2.9nm
D: 1.5nm
A: 11.6nm
B: 5.8nm
C: 2.9nm
D: 1.5nm
举一反三
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为a［-110］／4+a［-111］/4 B: a［-110］／2 分解为a［-110］／6+a［-111］/6 C: a［-110］／2 分解为a［-211］/6+a［-12-1］/6 D: a［-110］／2 分解为a［-110］／3+a［-111］/3
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解前多余半原子面指数为（ ）。
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，依据位错反应的几何条件和能量条件，该全位错的分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为：a［-211］/6+a［-12-1］/6； B: a［-110］／2 分解为：a［-110］／4+a［-111］/4 C: a［-110］／2 分解为：a［-110］／3+a［-111］/3 D: a［-110］／2 分解为：a［-110］／6+a［-111］/6
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解反应为（ ）。A: a［-110］／2分解为［-211］/6+a［-12-1］/6； B: a［-110］／2 分解为［-110］／4+a［-111］/4。 A: A: a［-110］／2分解为［-211］/6+a［-12-1］/6； B: B: a［-110］／2 分解为［-110］／4+a［-111］/4 C: C: a［-110］／2 分解为［-110］／3+a［-111］/3 D: D. a［-110］／2 分解为［-110］／6+a［-111］/6
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解前多余半原子面指数为（ ）。 A: （-110）面 B: （110）面 C: （101）面 D: （10-1）面