中国大学MOOC: Shockley位错

在“硅谷”的起源中,哪个大学的Terman教授和诺奖得主Shockley教授起到了关键作用?

The first transistor was invented by _______ A: John<br/>Bardeen B: Walter<br/>Brattain C: William<br/>Shockley D: Gordon<br/>Moore

Shockley位错 A: 只能滑移 B: 只能攀移 C: 既能滑移又能攀移 D: 以上都不是

堆垛层错是一种（）缺陷，根据层错的形成方式不同，面心立方晶体中有Shockley和Frank两种不全位错。

某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解前多余半原子面指数为（ ）。

1956 年（ ）授予肖克利（William Shockley）、巴丁（John Bardeen）和布拉顿（Walter Brattain），以表彰他们对半导体的研究和晶体管效应的发现。 A: 诺贝尔物理学奖 B: 约翰·冯·诺依曼奖 C: 图灵奖 D: 高德纳奖（Donald Knuth Prize）

某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解前多余半原子面指数为（ ）。 A: （-110）面 B: （110）面 C: （101）面 D: （10-1）面

某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为a［-110］／4+a［-111］/4 B: a［-110］／2 分解为a［-110］／6+a［-111］/6 C: a［-110］／2 分解为a［-211］/6+a［-12-1］/6 D: a［-110］／2 分解为a［-110］／3+a［-111］/3

某fcc晶体中（点阵常数a=0.354nm），刃位错b=a&#91;-110&#93;/2 在（111）面上分解形成Shockley不全位错，则成立的有（ ）。 A: 反应式为a[-110]/2－a[-12-1]/3＋a[-211]/3 B: 反应式为a[-110]/2－a[-122]/6＋a[-21-2]/6 C: 反应式为a[-110]/2－a[-12-1]/6＋a[-211]/6 D: 反应式为a[-110]/2－a[-11-1]/4＋a[-110]/4