下列哪种方法可以提高光电导增益。
A: 增加光照强度
B: 提高电压
C: 增加电极间的间距
D: 减小光电导材料的载流子寿命和迁移率
A: 增加光照强度
B: 提高电压
C: 增加电极间的间距
D: 减小光电导材料的载流子寿命和迁移率
举一反三
- 下列不属于提高MOS管特征频率方法的是（ ）。 A: 采用应力工程，提高载流子迁移率 B: 提高过驱动电压 C: 增加沟道长度 D: 减小栅围寄生电容
- 下列不属于提高MOS管特征频率方法的是（）。 A: 采用应力工程，提高载流子迁移率 B: 提高跨导 C: 增加沟道长度 D: 减小栅围寄生电容
- 电导率大小与材料的下列哪些因素相关（ ）。 A: 载流子的电荷数 B: 载流子迁移率 C: 载流子的密度 D: 光电转换效率
- 离子类载流子导电与( )无关。 A: 载流子数量 B: 载流子的迁移率 C: 电导活化能 D: 自由电子
- 光电导探测器输出的光电流，与以下哪些物理量成正相关： A: 光敏电阻两端电压 B: 光通量 C: 载流子寿命 D: 渡越时间 E: 载流子迁移率 F: 入射光波长