下列不属于提高MOS管特征频率方法的是（ ）。
A: 采用应力工程，提高载流子迁移率
B: 提高过驱动电压
C: 增加沟道长度
D: 减小栅围寄生电容
A: 采用应力工程，提高载流子迁移率
B: 提高过驱动电压
C: 增加沟道长度
D: 减小栅围寄生电容
举一反三
- 下列不属于提高MOS管特征频率方法的是（）。 A: 采用应力工程，提高载流子迁移率 B: 提高跨导 C: 增加沟道长度 D: 减小栅围寄生电容
- 中国大学MOOC: 下列不属于提高MOS管特征频率方法的是（ ）。
- 下列哪些不属于计算MOS管最高振荡频率的非理想因素（ ）。 A: 小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算 B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化 C: 小尺寸器件中的纵向电场 D: 栅漏电容的米勒效应
- 下列哪种方法可以提高光电导增益。 A: 增加光照强度 B: 提高电压 C: 增加电极间的间距 D: 减小光电导材料的载流子寿命和迁移率
- 下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（ ）。 A: 小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等 B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化 C: 小尺寸器件中的纵向电场 D: 栅漏电容的米勒效应