未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]'], 'type': 102}
举一反三
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803c7ab2512f87.png[/img]随温度升高而（ ） A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img] D: 经过一极大值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1802f7fba646884.png[/img]随温度升高而（ ） 未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1802f7fbaeb97f9.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1802f7fbaeb97f9.png[/img]'], 'type': 102}
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803a1b20e14aa6.png[/img]随温度升高而（ ） 未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1803a1b216ee963.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1803a1b216ee963.png[/img]'], 'type': 102}
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803a202bd3805f.png[/img]随温度升高而（ ） A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近[img=18x22]1803a202c5eb7ab.png[/img] D: 经过一极大值趋近[img=18x22]1803a202c5eb7ab.png[/img]
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体,费米能级随温度升高而() A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近Ei D: 经过一极大值趋近Ei
内容
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对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（） A: 经过一极小值趋近Ei B: 单调下降 C: 单调上升 D: 经过一极大值趋近Ei
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度的上升而 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近本征费米能级 D: 经过一极大值趋近本征费米能级
- 2
对于轻掺杂为P的Si,费米能级EF随温度上升而()。 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值后趋近Ei D: 经过一极大值后趋近Ei
- 3
已知A(2，－4)，B(－2，3)，求|AB|． 未知类型：{'options': ['', ' 8', ' [img=27x20]17e0b773b092d1e.jpg[/img]', ' 7'], 'type': 102}
- 4
若 X, Y，满足DX=DY=[img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img]，E(XY)=EXEY，则D（X-2Y）的值是( )（A）2 [img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img] （B）3 [img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img] （C）4 [img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img] （D）5[img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img] 未知类型：{'options': ['2[img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img]', '3[img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img]', '4[img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img]', '5[img=18x22]17de6024b9b2db4.png[/img]'], 'type': 102}