对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1802f7fba646884.png[/img]随温度升高而（ ）
未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1802f7fbaeb97f9.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1802f7fbaeb97f9.png[/img]'], 'type': 102}
未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1802f7fbaeb97f9.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1802f7fbaeb97f9.png[/img]'], 'type': 102}
D
举一反三
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803c7ab2512f87.png[/img]随温度升高而（ ） 未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]'], 'type': 102}
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803a1b20e14aa6.png[/img]随温度升高而（ ） 未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1803a1b216ee963.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1803a1b216ee963.png[/img]'], 'type': 102}
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803a202bd3805f.png[/img]随温度升高而（ ） A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近[img=18x22]1803a202c5eb7ab.png[/img] D: 经过一极大值趋近[img=18x22]1803a202c5eb7ab.png[/img]
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803c7ab2512f87.png[/img]随温度升高而（ ） A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img] D: 经过一极大值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体,费米能级随温度升高而() A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近Ei D: 经过一极大值趋近Ei
内容
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对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（） A: 经过一极小值趋近Ei B: 单调下降 C: 单调上升 D: 经过一极大值趋近Ei
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度的上升而 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近本征费米能级 D: 经过一极大值趋近本征费米能级
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对于轻掺杂为P的Si,费米能级EF随温度上升而()。 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值后趋近Ei D: 经过一极大值后趋近Ei
- 3
设f(x)是连续函数，且[img=115x41]17e441a9264b227.jpg[/img]，则f(7)=. 未知类型：{'options': ['0', ' [img=11x33]17e4362bee12768.jpg[/img]', ' [img=18x33]17e43d9ae21f42d.jpg[/img]', ' 1'], 'type': 102}
- 4
已知函数f(x)是偶函数,且[img=32x28]17e0bf9077056a0.png[/img]f(x)=a,则下列结论一定正确的是( ) 未知类型：{'options': ['17e0bf90830f17d.pngf(x)=-a', ' [img=32x28]17e0bf90830f17d.png[/img]f(x)=a', ' [img=32x28]17e0bf90830f17d.png[/img]f(x)=|a|', ' [img=32x28]17e0bf9077056a0.png[/img]f(x)=|a|'], 'type': 102}