n型半导体，费米能级越靠近导带底，其掺杂浓度（ ）。
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 以上都不对
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 以上都不对
A
举一反三
- N型半导体的费米能级越靠近导带底，说明半导体的掺杂浓度越高。
- p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。 A: 上升靠近导带底 B: 下降靠近价带顶 C: 不变 D: 上升靠近本征费米能级
- 半导体的掺杂浓度越高 A: 载流子的迁移率越高 B: 费米能级越靠近导带 C: 半导体的电导率越高 D: 载流子的扩散速度越大
- 费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
- 半导体物理是可见光、红外探测器成像的关键理论。下列说法中,正确的说法是(<br/>)。 A: 形成P型半导体通常选择的掺杂元素是As(砷) B: N型半导体材料的费米能级高于禁带中心Ei,其费米能级越接近于导带底则表示其掺杂浓度越低 C: 半导体晶体材料的掺杂浓度越高,其载流子的迁移率越低 D: MOS结构的阈值电压VT对应的是半导体表面发生耗尽时的栅压
内容
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费米能级EF随着掺杂浓度变化的描述不正确的是（ ） A: 随着掺杂水平的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近。 B: 随着掺杂水平的提高，p型半导体的费米能级逐渐向价带靠近 C: 掺杂浓度要满足玻尔兹曼近似的假设 D: 以上描述都不正确
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n型半导体，随着掺杂浓度减少，费米能级（ ）。 A: 向导带底靠近 B: 向下朝禁带中央靠近 C: 向下朝价带顶靠近 D: 向上朝禁带中央靠近
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为什么n型半导体中重掺杂会使费米能级进入导带
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热平衡时，一块半导体中如果费米能级处在导带中，费米能级距离导带底越近，电子密度越小。
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对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: A: 费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B: 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C: 费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D: 费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动