半导体物理是可见光、红外探测器成像的关键理论。下列说法中,正确的说法是(
)。
A: 形成P型半导体通常选择的掺杂元素是As(砷)
B: N型半导体材料的费米能级高于禁带中心Ei,其费米能级越接近于导带底则表示其掺杂浓度越低
C: 半导体晶体材料的掺杂浓度越高,其载流子的迁移率越低
D: MOS结构的阈值电压VT对应的是半导体表面发生耗尽时的栅压
)。
A: 形成P型半导体通常选择的掺杂元素是As(砷)
B: N型半导体材料的费米能级高于禁带中心Ei,其费米能级越接近于导带底则表示其掺杂浓度越低
C: 半导体晶体材料的掺杂浓度越高,其载流子的迁移率越低
D: MOS结构的阈值电压VT对应的是半导体表面发生耗尽时的栅压
