对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体。在温度足够高、ni＞＞|ND-NA|时半导体具有（ ）半导体的导电特性。
A: 非本征
B: 本征
C: 掺杂
D: 补偿
A: 非本征
B: 本征
C: 掺杂
D: 补偿
举一反三
- 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。 A: 非本征 B: 本征
- 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni >> (ND-NA)时,半导体具有 ( ) 半导体的导电特性。 A: 非本征 B: 本征 C: 杂质补偿 D: 以上都可能
- 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
- 以下哪种情况下，半导体为N型的？? 本征半导体中掺入施主杂质。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。|本征半导体中掺入受主杂质。