在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成电子阻挡层?
A: 金属和n型半导体接触,Wm>Ws
B: 金属和n型半导体接触,Wm<Ws
C: 金属和p型半导体接触,Wm>Ws
D: 金属和p型半导体接触,Wm<Ws
A: 金属和n型半导体接触,Wm>Ws
B: 金属和n型半导体接触,Wm<Ws
C: 金属和p型半导体接触,Wm>Ws
D: 金属和p型半导体接触,Wm<Ws
举一反三
- 在什么条件下,金属和半导体接触形成电子阻挡层? A: 金属和n型半导体接触,Wm>;Ws B: 金属和n型半导体接触,Wm<;Ws C: 金属和p型半导体接触,Wm>;Ws D: 金属和p型半导体接触,Wm<;Ws
- 金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是( )。 A: Wm>Ws,n型 B: Wm>Ws,p型 C: Wm<Ws,n型 D: Wm<Ws,p型
- 金属与p型半导体接触时,若WM<WS,形成p型阻挡层。
- 金属与N型半导体形成阻挡层,满足() A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
- 金属与n 型半导体形成阻挡层,其功函数需满足( ) A: Wm>Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm <Ws