同样的载流子浓度，载流子的迁移率越大，半导体的导电率（ ）。
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 以上都不对
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 以上都不对
举一反三
- 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
- 半导体的掺杂浓度越高 A: 载流子的迁移率越高 B: 费米能级越靠近导带 C: 半导体的电导率越高 D: 载流子的扩散速度越大
- 决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。 A: 禁带宽度 B: 载流子有效质量 C: 复合率 D: 温度 E: 平均自由时间 F: 载流子浓度
- 本征激发产生的载流子浓度与温度有关,温度越高,本征激发___,产生的载流子浓度___,本征半导体的导电能力___。 A: 越弱，越低，越弱; B: 越弱，越低，越强; C: 越强，越低，越强; D: 越强，越高，越强
- 对本征半导体，温度越( )则本征载流子浓度越高；在相同温度下，禁带宽度越窄的半导体，则本征载流子浓度越( )。 A: 低；低 B: 低；高 C: 高；低 D: 高；高