迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
对
举一反三
- 同样的载流子浓度，载流子的迁移率越大，半导体的导电率（ ）。 A: 越高 B: 越低 C: 不变 D: 以上都不对
- 半导体的掺杂浓度越高 A: 载流子的迁移率越高 B: 费米能级越靠近导带 C: 半导体的电导率越高 D: 载流子的扩散速度越大
- 在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( );而少数载流子的浓度则主取决温度。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
- 【单选题】杂质半导体中多数载流子的数量取决于 ,少数载流子的数量取决于 。 A. 掺杂浓度；光度 B. 温度；掺杂浓度 C. 掺杂浓度；温度 D. 掺杂浓度；湿度
- 室温范围内，影响硅半导体热敏电阻的电阻值的主要因素是： A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 载流子迁移率 D: 本征载流子浓度
内容
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通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。（ ）
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杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。
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在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于温度。()
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对于补偿半导体，载流子浓度和迁移率均取决于杂质差值。
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在杂质半导体中多数载流子数目取决于掺杂浓度（）