能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为
A: 正值,正值
B: 正值,负值
C: 负值,正值
D: 负值,负值
A: 正值,正值
B: 正值,负值
C: 负值,正值
D: 负值,负值
A
举一反三
- 权的Delta为( ),卖权的Delta是( )。 A: 正值,正值 B: 正值,负值 C: 负值,正值 D: 负值,负值
- P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管栅源间的开启电压分别为_________。 A: 正值,负值 B: 正值,正值 C: 负值,负值 D: 负值,正值
- 力矩和力偶矩都规定:使物体顺时针转动取( ),逆时针转动取( )。 A: 正值、负值 B: 负值、正值 C: 正值、正值 D: 负值、负值
- 三相对称正弦交流电路中,当wt=0°时,iAiBiC(i1、i2、i3)分别为() A: 0、负值、正值 B: 0、正值、负值 C: 负值、0、正值 D: 负值、正值、0
- 当wt=120°时,i1=sin(wt+60°)、i2=sin(wt+90°)、i3=sin(wt+30°)分别为()。 A: 0、负值、正值 B: 0、正值、负值 C: 负值、0、正值 D: 负值、正值、0
内容
- 0
基准孔的上、下偏差分别为 ( ) A: 正值和正值 B: 正值和负值 C: 正值和零 D: 负值和零
- 1
基准孔的上、下偏差分别为() A: 正值和负值 B: 零和负值 C: 正值和零 D: 全为负值
- 2
N沟道增强型MOSFET的开启电压为( );P沟道增强型MOSFET的开启电压为( )。 A: 正值,负值 B: 负值,正值 C: 正值,正值 D: 负值,负值
- 3
p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。() A: 正值,电子 B: 正值,空穴 C: 负值,电子 D: 负值,空穴
- 4
基准孔的上、下偏差分别为 。 A: 正值和负值 B: 零和负值 C: 正值和零 D: 零和正值