中国大学MOOC: 最常见的载流子散射是电离杂质散射和晶格振动散射。
对
举一反三
- 最常见的载流子散射是电离杂质散射和晶格振动散射。 A: 正确 B: 错误
- 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（ ） A: 电离杂质散射 B: 载流子间的散射 C: 中性杂质散射 D: 晶格振动散射
- 随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为 A: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； B: 先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； C: 先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）； D: 先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
- 中国大学MOOC: 如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（ ）。
- 在半导体中，不影响载流子的迁移率的散射机制是（ ） A: 晶格散射 B: 电离杂质散射 C: 声子散射 D: 固体散射
内容
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下面散射引起的弛豫时间与平均自由时间相同的是（）。 A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
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下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？ A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
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电离杂质的散射是半导体中一种主要的散射机构,电离杂质的浓度Ni越大,载流子遭受散射的机会越多;温度越高,载流子遭受散射的机会越少。(<br/>)
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同时存在晶格散射和电离杂质散射两种散射中心时，高（低）温下哪一种散射起主导作用？