金半接触变成欧姆接触的条件是半导体掺杂浓度要（）。
举一反三
- 实现金半欧姆接触的途径有 A: 降低金半功函数差 B: 增加金半功函数差 C: 增加半导体掺杂浓度 D: 降低半导体掺杂浓度
- 在实际情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？ A: 金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触 B: 金属和n型半导体接触，形成电子阻挡层，即为欧姆接触 C: 金属和p型半导体接触，形成空穴阻挡层，即为欧姆接触 D: 金属和n型半导体接触，形成电子反阻挡层，即为欧姆接触 E: 金属和p型半导体接触，形成空穴反阻挡层，即为欧姆接触
- 金属与半导体形成欧姆接触的一种方式是使半导体的表面掺杂浓度大于（ ）。 A: 1015/㎝3 B: 1017/㎝3 C: 1019/㎝3 D: 1021/㎝3
- 金属半导体接触中欧姆接触类型对半导体表面的形貌平整度比肖特基接触要求更高。 A: 正确 B: 错误
- 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？? 金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触|金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触