中国大学MOOC: 已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为( )半导体。
弱简并
举一反三
- 已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为( )半导体。 A: 非简并 B: 弱简并 C: 简并 D: 以上均不对
- 已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且在平衡状态下，金属一侧的空穴势垒高度比半导体一侧空穴势垒高度大[img=36x22]1802f7f8ec9debe.png[/img]，则该p型半导体为( )半导体。 A: 非简并 B: 弱简并 C: 简并 D: 无法判断
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体
- 在纯净的硅晶体中半导体内掺入磷元素，就形成 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.I型半导体 D.导体 A: P型半导体 B: N型半导体 C: 导体
- 在实际情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？ A: 金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触 B: 金属和n型半导体接触，形成电子阻挡层，即为欧姆接触 C: 金属和p型半导体接触，形成空穴阻挡层，即为欧姆接触 D: 金属和n型半导体接触，形成电子反阻挡层，即为欧姆接触 E: 金属和p型半导体接触，形成空穴反阻挡层，即为欧姆接触
内容
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金属与p型半导体接触时，若WM＜WS，形成p型阻挡层。
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在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？? 金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触|金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
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在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？ A: 金属和n型半导体接触，Wm>;Ws B: 金属和n型半导体接触，Wm<;Ws C: 金属和p型半导体接触，Wm>;Ws D: 金属和p型半导体接触，Wm<;Ws
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在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成电子阻挡层？ A: 金属和n型半导体接触，Wm>Ws B: 金属和n型半导体接触，Wm<Ws C: 金属和p型半导体接触，Wm>Ws D: 金属和p型半导体接触，Wm<Ws
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制作NTC热敏电阻的材料是一种： A: 金属导体 B: 绝缘体 C: 半导体 D: 金属导体或半导体