已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为( )半导体。
A: 非简并
B: 弱简并
C: 简并
D: 以上均不对
A: 非简并
B: 弱简并
C: 简并
D: 以上均不对
举一反三
- 已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且在平衡状态下，金属一侧的空穴势垒高度比半导体一侧空穴势垒高度大[img=36x22]1802f7f8ec9debe.png[/img]，则该p型半导体为( )半导体。 A: 非简并 B: 弱简并 C: 简并 D: 无法判断
- 中国大学MOOC: 已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为( )半导体。
- 下列硅半导体中，哪一个费米能级的位置最高 A: n型非简并半导体 B: p型非简并半导体 C: n型简并半导体 D: p型简并半导体
- 金属和非简并N型半导体接触形成的阻挡层具有整流特性。
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体