对于非简并p型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致EF靠近（ ）。
A: Ec
B: Ev
C: Ei
D: Et
A: Ec
B: Ev
C: Ei
D: Et
C
举一反三
- 3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF A: A B: B C: C D: D
- 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei A: Ec B: Ev C: Eg D: E<sub>F</sub>
- 对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致靠近Ei
- 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A: E B: E C: E D: E
- 对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（） A: 经过一极小值趋近Ei B: 单调下降 C: 单调上升 D: 经过一极大值趋近Ei
内容
- 0
对于非简并n型半导体，如果杂质浓度一定，则随着温度的升高，EF将逐渐远离（ ）。 A: 禁带中央 B: 导带底 C: 价带顶 D: 受主能级
- 1
对于只含有一种杂质的非简并n型半导体,EF费米能级随温度升高而
- 2
严格来说,对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级EF 随温度上升而
- 3
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近E[sub]i[/]。 A: E<sub>c</sub> B: E<sub>v</sub> C: E<sub>g</sub> D: E<sub>F</sub>
- 4
对于只含有一种杂质的非简并n型半导体,费米能级随温度升高而() A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近Ei D: 经过一极大值趋近Ei